SRM 2134 - 硅深度剖面標(biāo)準(zhǔn)中的砷植入 標(biāo)準(zhǔn)品 旨在用于通過(guò)二次離子質(zhì)譜 (SIMS) 分析技術(shù)校準(zhǔn)對(duì)硅基質(zhì)中微量和痕量砷的二次離子響應(yīng)。 SRM 2134 用于校準(zhǔn) SIMS 儀器在特定儀器條件下對(duì)硅基質(zhì)中砷的響應(yīng)。它也可以被實(shí)驗(yàn)室用作校準(zhǔn)硅中砷工作標(biāo)準(zhǔn)的轉(zhuǎn)移標(biāo)準(zhǔn)。 SRM 2134 的一個(gè)單元由一個(gè) 1 cm × 1 cm 的單晶硅襯底組成，該襯底已被離子注入同位素 75As，標(biāo)稱(chēng)能量為 100 keV。 SRM 2134 經(jīng)認(rèn)證可用于 75As 原子的保留劑量。劑量以每單位面積的砷質(zhì)量單位表示。 SIMS 提供了關(guān)于砷原子濃度隨地表以下深度變化的其他未經(jīng)認(rèn)證的信息。

認(rèn)證濃度值：

 75As 原子的總保留劑量通過(guò)儀器中子活化分析確定。將兩種獨(dú)立制備的砷參考溶液（其中一種是 NIST SRM 3103a 砷標(biāo)準(zhǔn)溶液，經(jīng)砷濃度認(rèn)證）等分試樣沉積在濾紙上，作為分析中的標(biāo)準(zhǔn)。由此產(chǎn)生的認(rèn)證價(jià)值和 擴(kuò)展的不確定性是

認(rèn)證值的不確定度表示為擴(kuò)展不確定度 U = kuc，其中 k 是 2.04 的覆蓋因子，置信水平約為 95%，uc 是根據(jù) ISO 指南 [1] 計(jì)算的組合標(biāo)準(zhǔn)不確定度.組合標(biāo)準(zhǔn)不確定度是從測(cè)量過(guò)程中導(dǎo)出或估計(jì)的單個(gè)標(biāo)準(zhǔn)不確定度的平方和的平方根。

 A 型和 B 型標(biāo)準(zhǔn)不確定度分量來(lái)自以下主要來(lái)源的測(cè)量不確定度：(1) 比較標(biāo)準(zhǔn)的濃度，(2) 樣品和標(biāo)準(zhǔn)之間的中子注量暴露差異，(3) 測(cè)量復(fù)制，(4) 標(biāo)準(zhǔn)的計(jì)數(shù)統(tǒng)計(jì)，(5) 脈沖堆積，以及 (6) 衰減時(shí)間效應(yīng)。所有已知的潛在不確定性來(lái)源都已被考慮 [2-4]。

處理、儲(chǔ)存和使用說(shuō)明

處理：SRM 2134 - 硅深度剖面標(biāo)準(zhǔn)中的砷植入 標(biāo)準(zhǔn)品  的植入面是拋光的反射面。該表面在包裝前已清潔。使用前，應(yīng)立即使用加壓空氣除塵器從表面清除灰塵顆粒。不建議在氫氟酸中蝕刻此 SRM，因?yàn)楸砻嫜趸锟赡軙?huì)去除一些砷。

儲(chǔ)存：不使用時(shí)，SRM 應(yīng)存放在其原始托盤(pán)中，并蓋緊蓋子。

用途：隨著連續(xù)層被離子轟擊去除，SIMS 可以通過(guò)監(jiān)測(cè)一種或多種濺射離子種類(lèi)，獲得作為深度函數(shù)的材料成分信息。使用該技術(shù)時(shí)，通常使用與未知物質(zhì)在同一基質(zhì)中的相同物質(zhì)的參考樣品校準(zhǔn)物質(zhì)的濃度值